| 利用直接隧穿弛豫谱技术对超薄栅MOS结构中栅缺陷的研究 |
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| 引用本文： | 霍宗亮,杨国勇,许铭真,谭长华,段小蓉.利用直接隧穿弛豫谱技术对超薄栅MOS结构中栅缺陷的研究[J].半导体学报,2002,23(11):1146-1153. |
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| 作者姓名： | 霍宗亮 杨国勇 许铭真 谭长华 段小蓉 |
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| 作者单位： | 北京大学微电子学研究所,北京,100871 |
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| 摘 要： | 给出了超薄栅MOS结构中直接隧穿弛豫谱(DTRS)技术的细节描述,同时在超薄栅氧化层(＜3nm)中给出了该技术的具体应用.通过该技术,超薄栅氧化层中明显的双峰现象被发现,这意味着在栅氧化层退化过程中存在着两种陷阱.更进一步的研究发现,直接隧穿应力下超薄栅氧化层(＜3nm)中的界面/氧化层陷阱的密度以及俘获截面小于FN 应力下厚氧化层(＞4nm)中界面/氧化层陷阱的密度和俘获截面,同时发现超薄氧化层中氧化层陷阱的矩心更靠近阳极界面.
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| 关 键 词： | 隧穿 MOS器件 比例差分算符 |
Investigation of Gate Defects in Ultrathin MOS Structures Using DTRS Technique |
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| Huo Zongliang,Yang Guoyong,Xu MingZhen,Tan Changhua,Duan Xiaorong.Investigation of Gate Defects in Ultrathin MOS Structures Using DTRS Technique[J].Chinese Journal of Semiconductors,2002,23(11):1146-1153. |
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| Authors: | Huo Zongliang Yang Guoyong Xu MingZhen Tan Changhua Duan Xiaorong |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | tunneling metal oxide semiconductor device proportional difference operator |
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