薄膜太阳电池用改进型绒面结构MOCVD-ZnO:B透明导电薄膜研究

利用低压MOCVD技术在玻璃衬底上生长了改进型绒面结构ZnO:B薄膜。改进型ZnO:B薄膜包含两层薄膜，第一层采用传统工艺技术生长了类金字塔状晶粒，第二层借助相对低温生长技术获得了类球状晶粒。典型的双层生长技术获得的MOCVD-ZnO:B薄膜具有相对高的电子迁移率~27.6 cm2/Vs，主要归因于提高了晶界质量，减少了缺陷态。随着第二层修饰层厚度的增加，MOCVD-ZnO:B薄膜的绒度提高，而光学透过率有所下降。相比于传统工艺生长的ZnO薄膜，双层结构的MOCVD-ZnO:B薄膜应用于硅基薄膜太阳电池展现了较高的太阳电池转化效率。