| Triode PECVD氢稀释制备的nc-Si:H薄膜的新结果 |
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| 引用本文： | 秦华,陈坤基,黄信凡,李伟.Triode PECVD氢稀释制备的nc-Si:H薄膜的新结果[J].半导体学报,1997,18(2):103-107. |
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| 作者姓名： | 秦华 陈坤基 黄信凡 李伟 |
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| 作者单位： | 南京大学物理系!南京，210008，南京大学物理系!南京，210008，南京大学物理系!南京，210008，南京大学物理系!南京，210008 |
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| 摘 要： | 采用三极管型等离子体增强化学汽相淀积（TriodePECVD）系统，适当选取硅烷（SiH4）和氢气（H2）流量比制备纳米硅（nc-Si：H）薄膜．保持栅极偏压为－100V，改变SiH4、H2流量比可以得到薄膜从非晶硅（a－Si：H）到nc－Si：H的结构转变，其氢气流量比例H2]／（H2]＋SiH4]）的阈值为93．3％．随着流量比进一步增大，晶化比例从12％增大至50％，但晶粒尺寸基本保持不变，nc－Si晶粒的平均尺寸约2．5nm，这是不同于常规二极管PECVD、氢稀释制备的nc－Si：H薄膜的新结果，并从实验上验证了电导率和电子迁移率的渗流现象．
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| 关 键 词： | 纳米硅薄膜 三极管型 Triode PECVD |
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