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| 一种新的MOS器件亚阈区表面势分析方法 | |
| 引用本文： | 陈之昀,刘晓卫,卫建林,谭长华,许铭真.一种新的MOS器件亚阈区表面势分析方法[J].半导体学报,1997,18(11):844-848. |
| 作者姓名： | 陈之昀 刘晓卫 卫建林 谭长华 许铭真 |
| 作者单位： | 北京大学微电子研究所!北京，100871，北京大学微电子研究所!北京，100871，北京大学微电子研究所!北京，100871，北京大学微电子研究所!北京，100871，北京大学微电子研究所!北京，100871 |
| 摘 要： | 本文根据MOS器件亚阈区转移特性国数强收敛的特点，提出了一种直接利用MOS器件转移特性确定亚阈区表面势的新方法．并讨论了界面馅饼的影响．研究结果表明，对于长沟器件，该方法的系统误差小于1．3％．与C－V法的对照实验表明，两者的结果偏差小于5％． |
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