| 大功率In(Ga)As/GaAs量子点激光器 |
| |
| 引用本文： | 王占国,刘峰奇,梁基本,徐波,丁鼎,龚谦,韩勤.大功率In(Ga)As/GaAs量子点激光器[J].半导体学报,2000,21(8):827-829. |
| |
| 作者姓名： | 王占国 刘峰奇 梁基本 徐波 丁鼎 龚谦 韩勤 |
| |
| 作者单位： | 中国科学院半导体研究所半导体材料科学实验室!北京100083，中国科学院半导体研究所半导体材料科学实验室!北京100083，中国科学院半导体研究所半导体材料科学实验室!北京100083，中国科学院半导体研究所半导体材料科学实验室!北京100083，中国科学院半导体研究所半导体材料科学实 |
| |
| 基金项目： | 国家自然科学基金和国家高技术新材料领域资助项目[Project
Supported by National Natural ScienceFoundation of China and by National High Technology
Research & Development(863)Program of China]. |
| |
| 摘 要： | 利用分子束外延技术和 S- K生长模式 ,系统研究了 In As/Ga As材料体系应变自组装量子点的形成和演化 .研制出激射波长λ≈ 960 nm,条宽 1 0 0μm,腔长 80 0μm的 In( Ga) As/Ga As量子点激光器 :室温连续输出功率大于 3.5W,室温阈值电流密度 2 1 8A/cm2 ,0 .61 W室温连续工作寿命超过 3760小时
|
| 关 键 词： | 量子点 空间有序 量子点激光器 |
| 文章编号： | 0253-4177(2000)08-0827-03 |
| 修稿时间： | 2000-05-16 |
High Power In(Ga)As/GaAs Quantum Dot Laser |
| |
| WANG Zhan\|guo,LIU Feng\|qi,LIANG Ji\|ben,XU Bo,DING Ding,GONG Qian and HAN Qin.High Power In(Ga)As/GaAs Quantum Dot Laser[J].Chinese Journal of Semiconductors,2000,21(8):827-829. |
| |
| Authors: | WANG Zhan\|guo LIU Feng\|qi LIANG Ji\|ben XU Bo DING Ding GONG Qian and HAN Qin |
| |
| Affiliation: | WANG Zhan-guo ,LIU Feng-qi ,LIANG
Ji-ben ,XU Bo ,DING Ding ,GONG Qian
(Laboratory of Semiconductor Materials Science, Institute of Semiconductors,The Chinese
Academy of Sciences, Beijing 100083, China) |
| |
| Abstract: | Systematic study of molecular beam epitaxy\|grown self\|assembled In(Ga)As/GaAs quantum dots (QDs) is demonstrated.Room\|temperature (RT) continuous\|wave(CW) lasing at the wavelength of 960nm with output power more than 3.5W is achieved from vertical coupled In(Ga)As/GaAs QDs ensemble.The RT threshold current density is 218A/cm\+2.A RT CW output power of 0 61W ensures at least 3760 hours lasing (only drops 1 02db). |
| |
| Keywords: | quantum dot spacial ordering quantum dot laser |
| 本文献已被 CNKI 维普 万方数据 等数据库收录！ |
| 点击此处可从《半导体学报》浏览原始摘要信息 |
|
点击此处可从《半导体学报》下载全文 |
|
