| MOSFET抗辐照能力预测方法 |
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| 引用本文： | 彭绍泉,杜磊,庄奕琪,包军林,刘江,苏亚慧.MOSFET抗辐照能力预测方法[J].半导体学报,2008,29(7):1360-1364. |
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| 作者姓名： | 彭绍泉 杜磊 庄奕琪 包军林 刘江 苏亚慧 |
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| 作者单位： | 西安电子科技大学技术物理学院，西安 710071;西安电子科技大学技术物理学院，西安 710071;西安电子科技大学微电子学院，西安 710071;西安电子科技大学微电子学院，西安 710071;西安电子科技大学技术物理学院，西安 710071;西安电子科技大学技术物理学院，西安 710071 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目 |
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| 摘 要： | 基于金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET)噪声的载流子数涨落和迁移率涨落理论,建立起MOSFET抗辐照能力预测模型.利用该模型,可较好地通过辐照前的1/f噪声参量,预测辐照后分别由氧化层陷阱和界面陷阱诱使阈值电压漂移的情况.模型模拟结果与实际测量结果符合良好,验证了预测模型的正确性,并为工程应用提供MOSFET抗辐照能力预测方法.
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| 关 键 词： | 1/f噪声 MOSFET 辐照 预测 |
| 文章编号： | 0253-4177(2008)07-1360-05 |
| 修稿时间： | 12/8/2007 8:38:28 PM |
A Forecast Technique for Radiation-Resistant Capability on MOSFETs |
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| Peng Shaoquan,Du Lei,Zhuang Yiqi,Bao Junlin,Liu Jiang and Su Yahui.A Forecast Technique for Radiation-Resistant Capability on MOSFETs[J].Chinese Journal of Semiconductors,2008,29(7):1360-1364. |
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| Authors: | Peng Shaoquan Du Lei Zhuang Yiqi Bao Junlin Liu Jiang and Su Yahui |
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| Affiliation: | School of Technical Physics,Xidian University,Xi'an 710071,China;School of Technical Physics,Xidian University,Xi'an 710071,China;School of Microelectronic,Xidian University,Xi'an 710071,China;School of Microelectronic,Xidian University,Xi'an 710071,China;School of Technical Physics,Xidian University,Xi'an 710071,China;School of Technical Physics,Xidian University,Xi'an 710071,China |
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| Abstract: | Based on metal-oxide-semiconductor field effect transistor (MOSFET) noise theory of carrier number fluctuation and mobility fluctuation,a forecast model of radiation-resistant capability is established.This model can preferably forecast post-irradiation threshold voltage drift due to oxide traps and interface traps through the pre-irradiation 1/f noise parameter.The simulation results of the model agree well with the measurement results.The forecast model is validated.The model provides a forecast technique for radiation-resistant capability on MOSFETs for engineering applications. |
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| Keywords: | 1/f noise MOSFET radiation forecast |
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