| B在SiGe中的应变补偿作用 |
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| 引用本文： | 成步文,姚飞,薛春来,张建国,李传波,毛容伟,左玉华,罗丽萍,王启明.B在SiGe中的应变补偿作用[J].半导体学报,2005,26(Z1). |
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| 作者姓名： | 成步文 姚飞 薛春来 张建国 李传波 毛容伟 左玉华 罗丽萍 王启明 |
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| 作者单位： | 中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室,北京,100083 |
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| 基金项目： | 国家高技术研究发展计划(863计划)，国家重点基础研究发展计划(973计划) |
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| 摘 要： | 用超高真空化学气相淀积方法生长出不同硼(B)掺杂浓度的应变SiGe合金材料,研究了B对SiGe合金的应变补偿作用.结果表明,B的掺入使SiGe的应变减小,B对Ge的应变补偿率为7.3,即平均掺入1个B原子可以补偿7.3个Ge原子引起的应变.同时获得B的晶格收缩系数为6.23×10-24cm3/atom.
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| 关 键 词： | SiGe 应变补偿 掺杂 |
Strain Compensation in SiGe by Boron Doping |
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| Cheng Buwen,Yao Fei,Xue Chunlai,Zhang Jianguo,Li Chuanbo,Mao Rongwei,Zuo Yuhua,Luo Liping,Wang Qiming.Strain Compensation in SiGe by Boron Doping[J].Chinese Journal of Semiconductors,2005,26(Z1). |
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| Authors: | Cheng Buwen Yao Fei Xue Chunlai Zhang Jianguo Li Chuanbo Mao Rongwei Zuo Yuhua Luo Liping Wang Qiming |
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| Keywords: | |
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