| 一种新的射频CMOS混频器结构 |
| |
| 引用本文： | 刘璐,王志华.一种新的射频CMOS混频器结构[J].半导体学报,2005,26(5). |
| |
| 作者姓名： | 刘璐 王志华 |
| |
| 作者单位： | 1. 清华大学电子工程系,北京,100084
2. 清华大学微电子研究所,北京,100084 |
| |
| 基金项目： | 国家自然科学基金，国家重点基础研究发展计划(973计划) |
| |
| 摘 要： | 提出了一种低电压高增益CMOS下变频混频器的新结构.这个结构避免了堆叠晶体管,因此可以在低电压下工作.在LO信号的频率为1.452GHz,RF信号频率为1.45GHz的情况下,仿真结果表明:混频器的增益为15dB,ⅡP3为-4.5dBm,NF为17dB,最大瞬态功耗为9.3mW,直流功耗为9.2mW.并对该混频器的噪声特性和线性度进行了分析.
|
| 关 键 词： | 下变频混频器 CMOS工艺 噪声和线性度分析 |
A New Low Voltage RF CMOS Mixer Design |
| |
| Liu Lu,Wang Zhihua.A New Low Voltage RF CMOS Mixer Design[J].Chinese Journal of Semiconductors,2005,26(5). |
| |
| Authors: | Liu Lu Wang Zhihua |
| |
| Abstract: | A new architecture of CMOS low voltage downconversion mixer is presented. With 1. 452GHz LO input and 1.45GHz RF input,simulation results show that the conversion gain is 15dB,ⅡP3 is -4.5dBm,NF is 17dB,the maximum transient power dissipation is 9.3mW,and DC power dissipation is 9. 2mW. The mixer's noise and lineari ty analyses are also presented. |
| |
| Keywords: | downconversion mixer CMOS process noise and linearity analysis |
| 本文献已被 万方数据 等数据库收录！ |
| 点击此处可从《半导体学报》浏览原始摘要信息 |
|
点击此处可从《半导体学报》下载全文 |
|
