| GaN1-x Px三元合金的红外谱 |
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| 引用本文： | 陈敦军,沈波,许福军,陶亚奇,赵红,张荣,郑有炓.GaN1-x Px三元合金的红外谱[J].半导体学报,2005,26(Z1). |
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| 作者姓名： | 陈敦军 沈波 许福军 陶亚奇 赵红 张荣 郑有炓 |
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| 作者单位： | 南京大学江苏省光电子信息功能材料重点实验室,南京,210093 |
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| 基金项目： | 国家重点基础研究发展计划(973计划)，国家高技术研究发展计划(863计划)，国家自然科学基金，国家自然科学基金，江苏省创新人才基金，高等学校博士学科点专项科研项目 |
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| 摘 要： | 对GaN1-xPx三元合金进行了红外谱的测试和拟合.分析结果表明在GaN1-xPx三元合金中存在两个彼此竞争的机制制约着载流子浓度的变化.一个是来自等电子陷阱的影响,它将减少三元合金中载流子的浓度;另一个来自缺陷的影响,它将增加三元合金中载流子的浓度.对合金介电函数的倒数的虚部进行了计算,其结果显示,随着合金中P组分比的增加,纵向光学声子-等离激元(LPP)耦合模式向高频方向移动,同时LPP模式线宽逐渐增宽,说明随着合金中P组分比的增加,LPP模式的耦合作用增加,阻尼增强.
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| 关 键 词： | GaN1-x-Px三元合金 红外反射 纵向光学声子-等离激元 晶格振动 |
Infrared Spectrum of GaN1-xPx Ternary Alloy |
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| Chen Dunjun,Shen Bo,Xu Fujun,Tao Yaqi,Zhao Hong,Zhang Rong,Zheng Youdou.Infrared Spectrum of GaN1-xPx Ternary Alloy[J].Chinese Journal of Semiconductors,2005,26(Z1). |
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| Authors: | Chen Dunjun Shen Bo Xu Fujun Tao Yaqi Zhao Hong Zhang Rong Zheng Youdou |
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