| 立方相ZnMgO的电学特性 |
| |
| 引用本文： | 金国芬,吴惠桢,梁军,劳燕锋,余萍,徐天宁.立方相ZnMgO的电学特性[J].半导体学报,2007,28(Z1):167-170. |
| |
| 作者姓名： | 金国芬 吴惠桢 梁军 劳燕锋 余萍 徐天宁 |
| |
| 作者单位： | 金国芬（浙江大学物理系,固体电子材料物理与器件实验室,杭州,310027）;吴惠桢（浙江大学物理系,固体电子材料物理与器件实验室,杭州,310027;中国科学院上海微系统与信息技术研究所,信息功能材料国家重点实验室,上海,200050）;梁军（中国科学院上海微系统与信息技术研究所,信息功能材料国家重点实验室,上海,200050）;劳燕锋（中国科学院上海微系统与信息技术研究所,信息功能材料国家重点实验室,上海,200050）;余萍（浙江大学物理系,固体电子材料物理与器件实验室,杭州,310027）;徐天宁（浙江大学物理系,固体电子材料物理与器件实验室,杭州,310027） |
| |
| 基金项目： | 国家自然科学基金(批准号;60676003)和浙江省自然科学基金(批准号:2406092)资助项目 |
| |
| 摘 要： | 在半导体硅衬底上沉积C-ZnMgO纳米薄膜,并做成金属-绝缘体-半导体(MIS)结构.通过测试MIS结构的C-V曲线,计算得到C-ZnMgO材料的介电常数为10.5±0.5,并获得了介电常数的频率响应在1～8MHz的频率范围内,介电常数由10.5降到6.4.通过测试MIS结构的I-V特性曲线,对漏电流产生原因进行了讨论与分析.
|
| 关 键 词： | C-ZnMgO薄膜 MIS结构 介电常数 漏电性能 |
| 文章编号： | 0253-4177(2007)S0-0167-04 |
| 修稿时间： | 2006年11月15 |
Electrical Characteristics of Cubic ZnMgO |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | |
|
| 点击此处可从《半导体学报》浏览原始摘要信息 |
|
点击此处可从《半导体学报》下载全文 |
|
