| RTD/HEMT串联型共振隧穿三极管的设计与研制 |
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| 引用本文： | 梁惠来,郭维廉,宋瑞良,齐海涛,张世林,胡留长,李建恒,毛陆虹,商跃辉,冯震,田国平,李亚丽.RTD/HEMT串联型共振隧穿三极管的设计与研制[J].半导体学报,2007,28(10):1594-1598. |
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| 作者姓名： | 梁惠来 郭维廉 宋瑞良 齐海涛 张世林 胡留长 李建恒 毛陆虹 商跃辉 冯震 田国平 李亚丽 |
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| 作者单位： | 天津大学电子信息工程学院，天津 300072;天津大学电子信息工程学院，天津 300072;中国电子科技集团公司第十三研究所，石家庄 050051;天津大学电子信息工程学院，天津 300072;天津大学电子信息工程学院，天津 300072;中国电子科技集团公司第十三研究所，石家庄 050051;天津大学电子信息工程学院，天津 300072;天津大学电子信息工程学院，天津 300072;天津大学电子信息工程学院，天津 300072;天津大学电子信息工程学院，天津 300072;中国电子科技集团公司第十三研究所，石家庄 050051;中国电子科技集团公司第十三研究所，石家庄 050051;中国电子科技集团公司第十三研究所，石家庄 050051;中国电子科技集团公司第十三研究所，石家庄 050051 |
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| 摘 要： | 对RTD/HEMT串联型共振隧穿三极管进行了设计和研制.测量结果表明:最大电流峰谷比为17.6∶1,棚压对峰值电压调控能力在1.5～7.7范围内,-3dB截止频率为4GHz,此种器件可与HEMT在结构和工艺上兼容,可应用于HEMT高速电路.
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| 关 键 词： | RTT RTD HEMT 跨导截止频率 电流峰谷比 HEMT 串联型 共振隧穿三极管 设计 Transistor Tunneling Resonant Fabrication Design Structure 高速电路 应用 结构和工艺 器件 截止频率 范围 调控能力 峰值电压 电流峰谷比 测量结果 |
| 文章编号： | 0253-4177（2007）10-1594-05 |
| 收稿时间： | 3/27/2007 2:42:15 PM |
| 修稿时间： | 6/12/2007 2:56:27 PM |
Design and Fabrication of Resonant Tunneling Transistor with RTD/HEMT in Series Structure |
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| Liang Huilai,Guo Weilian,Song Ruiliang,Qi Haitao,Zhang Shilin,Hu Liuchang,Li Jianheng,Mao Luhong,Shang Yuehui,Feng Zhen,Tian Guoping and Li Yali.Design and Fabrication of Resonant Tunneling Transistor with RTD/HEMT in Series Structure[J].Chinese Journal of Semiconductors,2007,28(10):1594-1598. |
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| Authors: | Liang Huilai Guo Weilian Song Ruiliang Qi Haitao Zhang Shilin Hu Liuchang Li Jianheng Mao Luhong Shang Yuehui Feng Zhen Tian Guoping and Li Yali |
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| Affiliation: | 1. School of Electronic Information Engineering, Tianjin University, Tianjin 300072, China;2. No. 13 Research Institute, Chinese Electronic Technology Group Corporation, Shijiazhuang 050051, China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | RTT RTD HEMT transconductance cut off frequency PVCR |
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