| 利用FN振荡电流测量超薄栅MOS结构的栅氧化层厚度 |
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| 引用本文： | 毛凌锋,谭长华,许铭真,卫建林.利用FN振荡电流测量超薄栅MOS结构的栅氧化层厚度[J].半导体学报,2000,21(10). |
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| 作者姓名： | 毛凌锋 谭长华 许铭真 卫建林 |
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| 作者单位： | 北京大学微电子所，北京 100871 |
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| 摘 要： | 给出了一种利用FN振荡电流的极值测量超薄栅MOS结构的栅氧化层厚度和电子在栅氧化层导带中的有效质量方法.利用波的干涉方法来处理电子隧穿势垒的过程，方便地获得了出现极值时外加电压和栅氧化层厚度、势垒高度、电子的有效质量之间的关系.这种方法的最大优点是精确和简便，并可方便地应用于任意形状的势垒和势阱.
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| 关 键 词： | 隧穿 金属氧化物半导体结构 干涉 |
Thickness Measurements for Ultrathin-Film Insulator MOS Structure Using Fowler-Nordheim Tunneling Current Oscillations |
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