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| 用选择混合InGaAsP-InGaAsP量子阱技术研制的两段波长可调谐分布布拉格反射激光器 | |
| 引用本文： | 陆羽,张靖,王圩,朱洪亮,周帆,王保军,张静媛,赵玲娟.用选择混合InGaAsP-InGaAsP量子阱技术研制的两段波长可调谐分布布拉格反射激光器[J].半导体学报,2003,24(9):903-907. |
| 作者姓名： | 陆羽 张靖 王圩 朱洪亮 周帆 王保军 张静媛 赵玲娟 |
| 摘 要： | 采用选择混合InGaAsP InGaAsP量子阱技术,研制出单脊波导结构的两段可调谐分布布拉格反射(DBR)激光器.激光器的阈值电流为51mA ,可调谐范围为4 6nm ,边模抑制比(SMSR)为40dB . |
| 关 键 词： | 可调谐激光器 DBR激光器 QWI 半导体激光器 |
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