首页 | 官方网站   微博 | 高级检索  
     

用有限元方法分析Si/GaAs的键合热应力
引用本文:何国荣,杨国华,郑婉华,吴旭明,王小东,曹玉莲,王青,陈良惠.用有限元方法分析Si/GaAs的键合热应力[J].半导体学报,2006,27(11).
作者姓名:何国荣  杨国华  郑婉华  吴旭明  王小东  曹玉莲  王青  陈良惠
基金项目:国家重点基础研究发展计划(973计划)
摘    要:在考虑材料热膨胀系数随温度变化后,采用有限元方法结合ANSYS软件对Si/GaAs键合热应力进行了分析,研究了普通应力、轴向应力和剪切力的分布云图和沿界面的分布.同时提出了新的键合结构以减小热应力的影响,计算结果证明了该结构的有效性.

关 键 词:键合  热应力  有限元分析  bonding  thermal  stress  finite  element  analysis  有限元方法  分析  GaAs  键合  热应力  Analysis  the  Finite  Element  Method  Stresses  show  validity  structures  Novel  effect  thermal  stress  conventional  taking  full  consideration  thermal  expansion  coefficient  function

Analysis of Si/GaAs Bonding Stresses with the Finite Element Method
He Guorong,Yang Guohua,Zheng Wanhua,Wu Xuming,Wang Xiaodong,Cao Yulian,Wang Qing,Chen Lianghui.Analysis of Si/GaAs Bonding Stresses with the Finite Element Method[J].Chinese Journal of Semiconductors,2006,27(11).
Authors:He Guorong  Yang Guohua  Zheng Wanhua  Wu Xuming  Wang Xiaodong  Cao Yulian  Wang Qing  Chen Lianghui
Abstract:
Keywords:
本文献已被 万方数据 等数据库收录!
点击此处可从《半导体学报》浏览原始摘要信息
点击此处可从《半导体学报》下载全文
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司    京ICP备09084417号-23

京公网安备 11010802026262号