| AlGaInP/Si的键合研究 |
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| 引用本文： | 郭德博,梁萌,范曼宁,刘志强,王良臣,王国宏.AlGaInP/Si的键合研究[J].半导体学报,2007,28(Z1):558-560. |
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| 作者姓名： | 郭德博 梁萌 范曼宁 刘志强 王良臣 王国宏 |
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| 作者单位： | 郭德博（中国科学院半导体研究所,北京,100083）;梁萌（中国科学院半导体研究所,北京,100083）;范曼宁（中国科学院半导体研究所,北京,100083）;刘志强（中国科学院半导体研究所,北京,100083）;王良臣（中国科学院半导体研究所,北京,100083）;王国宏（中国科学院半导体研究所,北京,100083） |
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| 摘 要： | 金锡(AuSn)合金作为粘合介质,实现了AlGaInP/Si的异质键合.在室温下键合样品的I-V特性表明AuSn合金对载流子通过界面未见不良影响,截面的显微照片表明键合质量良好.反射谱测试表明键合合金层可以作为反射器,这一特征是AlGaInP发光器件与Si集成的有利条件.
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| 关 键 词： | 键合 AlGaInP I-V特性 金锡合金 AlGaInP 键合质量 研究 Study 条件 集成 发光器件 特征 反射器 合金层 测试 反射谱 显微照片 截面 影响 界面 载流子 特性表 样品 室温 |
| 文章编号： | 0253-4177(2007)S0-0558-03 |
| 修稿时间： | 2006年11月21 |
Study of AlGaInP/Si Wafer Bonding |
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| Guo Debo,Liang Meng,Fan Manning,Liu Zhiqiang,Wang Liangchen,Wang Guohong.Study of AlGaInP/Si Wafer Bonding[J].Chinese Journal of Semiconductors,2007,28(Z1):558-560. |
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| Authors: | Guo Debo Liang Meng Fan Manning Liu Zhiqiang Wang Liangchen Wang Guohong |
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