| 硅衬底上GaAlAs/GaAs单量子阱激光器 |
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| 引用本文： | 庄婉如,石志文,杨培生,梅野正義,神保孝志,曾我哲夫.硅衬底上GaAlAs/GaAs单量子阱激光器[J].半导体学报,1989,10(12):960-964. |
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| 作者姓名： | 庄婉如 石志文 杨培生 梅野正義 神保孝志 曾我哲夫 |
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| 作者单位： | 中国科学院半导体所，中国科学院半导体所，中国科学院半导体所，日本名古屋工业大学电气情报工学科，日本名古屋工业大学电气情报工学科，日本名古屋工业大学电气情报工学科 北京，北京，北京 |
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| 摘 要： | 采用MOCVD方法在硅衬底上生长了带应力超晶格的GaAlAs/GaAs单量子阱外延片,并用质子轰击隔离法制成10微米条形单量子阱激光器.在室温下加脉冲电流(重复频率26KHz,脉宽1μs)观察到受激发射.最低阈电流92mA、激射波长849.2nm,外微分量子效率11％.
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| 关 键 词： | 半导体 激光器 光电集成 量子阱 硅 |
GaAlAs/GaAs SQW SCH LD Fabricated on Si by MOCVD |
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| Keywords: | Semiconductor Laser OEIC (Optoelectronic Integrated Circuit) GaAs grown on Si Mismatched Hetero Epitaxial |
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