| 深亚微米pMOS器件HCI退化建模与仿真方法 |
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| 引用本文： | 李康,郝跃,刘红侠,方建平,薛鸿民.深亚微米pMOS器件HCI退化建模与仿真方法[J].半导体学报,2005,26(11):2169-2174. |
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| 作者姓名： | 李康 郝跃 刘红侠 方建平 薛鸿民 |
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| 作者单位： | 西安电子科技大学微电子研究所 宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室，西安 710071;西安电子科技大学微电子研究所 宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室，西安 710072;西安电子科技大学微电子研究所 宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室，西安 710073;西安电子科技大学微电子研究所 宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室，西安 710074;陕西教育学院计算机系，西安 710061 |
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| 基金项目： | 国家科技攻关项目
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中国科学院资助项目 |
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| 摘 要： | 研究了深亚微米pMOS器件HCI(hot carrier injeotion)退化模型.采用流函数分析方法提出一种时变栅电流物理描述,基于这一栅电流模型改进了pMOS器件的HCI退化模型,并在该模型基础上提出一种HCI退化可靠性仿真方法,用于对静态应力条件下器件的HCI退化程度进行预测.最后给出了仿真结果对比.该方法已被用于XDRT可靠性工具中进行器件HCI退化分析.
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| 关 键 词： | HCI 时变栅电流模型 BSIM3v3 可靠性仿真 深亚微米 pMOSFET 器件 退化分析 建模 仿真方法 Degradation Simulation 结果对比 预测 退化程度 应力条件 模型基 改进 电流模型 物理描述 栅电流 时变 流函数分析 退化模型 |
| 文章编号： | 0253-4177（2005）11-2169-06 |
| 收稿时间： | 2005-04-25 |
| 修稿时间： | 2005-06-23 |
Modeling and Simulation of Hot-Carrier Degradation in Deep-Submicron pMOSFET's |
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| Li Kang,Hao Yue,Liu Hongxi,Fang Jianping and Xue Hongmin.Modeling and Simulation of Hot-Carrier Degradation in Deep-Submicron pMOSFET''''s[J].Chinese Journal of Semiconductors,2005,26(11):2169-2174. |
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| Authors: | Li Kang Hao Yue Liu Hongxi Fang Jianping and Xue Hongmin |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | HCI time-dependent gate current BSIM3v3 reliability simulation |
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