| 多晶硅隧道压阻模型* |
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| 引用本文： | 揣荣岩,王健,吴美乐,刘晓为,靳晓诗,杨理践.多晶硅隧道压阻模型*[J].半导体学报,2012,33(9):092003-5. |
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| 作者姓名： | 揣荣岩 王健 吴美乐 刘晓为 靳晓诗 杨理践 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金;省自然科学基金 |
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| 摘 要： | 基于陷阱模型,分析了多晶硅能带结构和导电机理,给出了解释隧道压阻效应的等效电路,说明了构成多晶硅压阻效应的内在因素以及隧道压阻效应在其中的作用。综合晶界区域和晶粒中性区两方面压阻效应建立了新的压阻模型——隧道压阻模型。结果表明,掺杂浓度在1020cm-3以上,复合晶界的压阻系数不但大于晶粒中性区的压阻系数,而且随掺杂浓度增加而增大,从而揭示了多晶硅纳米薄膜在重掺杂情况下出现应变因子随掺杂浓增加而增大的重要实验现象的内在机理。
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| 关 键 词： | 压阻效应 多晶硅 模型 隧道 掺杂浓度 导电机理 能带结构 等效电路 |
| 收稿时间： | 2/18/2012 5:44:46 PM |
| 修稿时间： | 3/19/2012 2:38:13 PM |
A tunneling piezoresistive model for polysilicon |
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| Chuai Rongyan,Wang Jian,Wu Meile,Liu Xiaowei,Jin Xiaoshi and Yang Lijian.A tunneling piezoresistive model for polysilicon[J].Chinese Journal of Semiconductors,2012,33(9):092003-5. |
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| Authors: | Chuai Rongyan Wang Jian Wu Meile Liu Xiaowei Jin Xiaoshi and Yang Lijian |
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| Affiliation: | 1. Information Science and Engineering School, Shenyang University of Technology, Shenyang 110023, China
2. Department of Microelectronics, Harbin Institute of Technology, Harbin 150001, China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | polysilicon nanofilm tunnelling piezoresistive effect Gauge factor piezoresistive properties |
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