| 低阻p型衬底上高阻厚层n型外延 |
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| 引用本文： | 谭卫东,唐有青,马利行,骆红,张文清,高涛.低阻p型衬底上高阻厚层n型外延[J].半导体学报,2006,27(13):183-185. |
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| 作者姓名： | 谭卫东 唐有青 马利行 骆红 张文清 高涛 |
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| 作者单位： | 南京国盛电子有限公司，南京 210038;南京国盛电子有限公司，南京 210038;南京国盛电子有限公司，南京 210038;南京国盛电子有限公司，南京 210038;南京国盛电子有限公司，南京 210038;南京国盛电子有限公司，南京 210038 |
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| 摘 要： | 介绍了高阻厚层反型外延片的一种实用生产技术，即在PE-2061S外延设备上，采取特殊的工艺控制在电阻率小于0.02Ω·cm的p型低阻衬底上实现了高阻厚层n型外延生长，外延层电阻率大于40Ω·cm，厚度大于100μm. 研究表明：该外延材料完全可以满足IGBT器件制作的需要.
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| 关 键 词： | 外延 高阻厚层 自掺杂 |
High Resistivity and Thick Epitaxial Layer of n-Type on Low Resistivity p-Type Substrates |
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| Tan Weidong,Tang Youqing,Ma Lixing,Luo Hong,Zhang Wenqing and Gao Tao.High Resistivity and Thick Epitaxial Layer of n-Type on Low Resistivity p-Type Substrates[J].Chinese Journal of Semiconductors,2006,27(13):183-185. |
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| Authors: | Tan Weidong Tang Youqing Ma Lixing Luo Hong Zhang Wenqing and Gao Tao |
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| Affiliation: | Nanjing Guosheng Electronic Ltd, Nanjing 210038, China;Nanjing Guosheng Electronic Ltd, Nanjing 210038, China;Nanjing Guosheng Electronic Ltd, Nanjing 210038, China;Nanjing Guosheng Electronic Ltd, Nanjing 210038, China;Nanjing Guosheng Electronic Ltd, Nanjing 210038, China;Nanjing Guosheng Electronic Ltd, Nanjing 210038, China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | epitaxy high resistivity and thick epitaxial layer self-doped |
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