| 掺杂nc-Si∶H膜的电导特性 |
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| 引用本文： | 彭英才,刘明,何宇亮,李月霞.掺杂nc-Si∶H膜的电导特性[J].半导体学报,2000,21(3):308-312. |
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| 作者姓名： | 彭英才 刘明 何宇亮 李月霞 |
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| 作者单位： | 河北大学电子信息工程学院!保定071002中国科学院半导体研究所半导体材料科学实验室北京100083(彭英才)，中国科学院微电子中心!北京100029(刘明)，北京航空航天大学材料物理与化学研究中心!北京100083(何宇亮)，中国科学院半导体研究所半导体超晶格国家重点实验室!北京100083(李月霞) |
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| 摘 要： | 采用常规 PECVD工艺 ,以高纯 H2 稀释的 Si H4 作为反应气体源 ,以 PH3作为 P原子的掺杂剂 ,在 P型 ( 1 0 0 )单晶硅 ( c- Si)衬底上 ,成功地生长了掺 P的纳米硅膜 ( nc- Si( P)∶ H)膜 .通过对膜层结构的 Raman谱分析和高分辨率电子显微镜 ( HREM)观测指出 :与本征 nc- Si∶H膜相比 ,nc- Si( P)∶ H膜中的 Si微晶粒尺寸更小 (～ 3nm) ,其排布更有秩序 ,呈现出类自组织生长的一些特点 .膜层电学特性的研究证实 ,nc- Si( P)∶ H膜具有比本征 nc- Si∶ H膜约高两个数量级的电导率 ,其 σ值可高达 1 0 - 1～ 1 0 - 1Ω- 1· cm- 1.这种高电导率来源于 nc-
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| 关 键 词： | 电导特性 nc-Si∶H膜 |
| 文章编号： | 0253-4177(2000)03-0308-05 |
| 修稿时间： | 1998年12月23日 |
Conductive Properties on Doping Nanometer Silicon Thin Films |
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| PENG Ying\|cai ,LIU Ming\,HE Yu\|liang\ and LI Yue\|xia\.Conductive Properties on Doping Nanometer Silicon Thin Films[J].Chinese Journal of Semiconductors,2000,21(3):308-312. |
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| Authors: | PENG Ying\|cai LIU Ming\ HE Yu\|liang\ and LI Yue\|xia\ |
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| Affiliation: | PENG Ying\|cai 1,2,LIU Ming\+3,HE Yu\|liang\+4 and LI Yue\|xia\+5 |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | Conductive Properties Nanometer Silicon Thin Films |
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