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| SiGe HBT大电流密度下的基区渡越时间模型 | |
| 引用本文： | 戴显英,吕懿,张鹤鸣,何林,胡永贵,胡辉勇.SiGe HBT大电流密度下的基区渡越时间模型[J].微电子学,2003,33(2):86-89. |
| 作者姓名： | 戴显英 吕懿 张鹤鸣 何林 胡永贵 胡辉勇 |
| 作者单位： | 1. 西安电子科技大学,微电子研究所,陕西,西安,710071 2. 中国电子科技集团公司,电子第二十四研究所,重庆,400060;模拟集成电路国家重点实验室,重庆,400060 3. 中国电子科技集团公司,电子第二十四研究所,重庆,400060 |
| 基金项目： | 模拟集成电路国家重点实验室基金资助(99JS09.1.1DZ0104) |
| 摘 要： | 在考虑基区扩展效应及载流子浓度分布的基础上，建立了SiGe HBT的基区渡越时间模型。该模型既适合产生基区扩展的大电流密度，又适合未产生基区扩展的小电流密度。模拟分析结果表明，与Si BJT相比，SiGe HBT基区渡越时间显著减小，同时表明，载流子浓度分布对基区渡越时间有较大影响。 |
| 关 键 词： | SiGe－HBT 大电流密度 基区渡越时间模型 载流子浓度分布 迁移率 锗化硅 |
| 文章编号： | 1004-3365(2003)02-0086-04 |
| 修稿时间： | 2002年9月22日 |
A Model for Base Transit Time in SiGe HBT's at High Current Density |
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| Abstract: | |
| Keywords: | SiGe HBT High current density Base transit time |
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