| 一种高电源抑制比CMOS能隙基准电压源 |
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| 引用本文： | 刘韬,徐志伟,程君侠.一种高电源抑制比CMOS能隙基准电压源[J].微电子学,1999,29(2):2. |
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| 作者姓名： | 刘韬 徐志伟 程君侠 |
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| 作者单位： | 复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室 |
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| 摘 要： | 介绍了一个采用０．６μｍ数字ＣＭＯＳ工艺制作的能隙基准电压源电路，该电路具有小的硅片面积（０．０６ｍｍ２）、高电源抑制比和较低温度系数。在该电路应用于高精度电路的偏置系统时，还可增加改善输出偏置电流温度系数的电路。
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| 关 键 词： | 能隙基准电压源 电源抑制比 温度系数 |
| 修稿时间： | 1998-05-26 |
A Simple CMOS Bandgap Voltage Reference with High PSRR |
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| LIU Tao,XU Zhi-Wei,CHENG Jun-Xia.A Simple CMOS Bandgap Voltage Reference with High PSRR[J].Microelectronics,1999,29(2):2. |
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| Authors: | LIU Tao XU Zhi-Wei CHENG Jun-Xia |
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| Abstract: | A bandgap voltage reference circuit is described,which is compatible with digital CMOS process.With a small chip area of 0.06 mm 2 ,the device has a high power supply rejection ratio(PSRR)and a low temperature coefficient.When it is used for bias circuits in high resolution systems,a circuit to improve temperature coefficient of the output bias current can be introduced. |
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| Keywords: | Bandgap voltage reference Power supply rejection ratio Temperature coefficient EEACC 1210 |
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