| 低功耗CMOS低噪声放大器的设计 |
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| 引用本文： | 肖珺,李永明,王志华.低功耗CMOS低噪声放大器的设计[J].微电子学,2006,36(5):670-673,678. |
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| 作者姓名： | 肖珺 李永明 王志华 |
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| 作者单位： | 清华大学,微电子学研究所,北京,100084 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金;北京市科技计划 |
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| 摘 要： | 针对低功耗电路设计的需求,提出了一种低功耗约束下CMOS低噪声放大器的设计方法,并与传统的设计方法进行了对比。模拟结果表明,按照该方法基于0.18μm CMOS工艺设计的工作于1.58 GHz的低噪声放大器,在仅消耗1.9 mA电流的条件下,噪声指数小于1 dB。
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| 关 键 词： | CMOS 射频集成电路 低噪声放大器 |
| 文章编号： | 1004-3365（2006）05-0670-04 |
| 收稿时间： | 2005-12-28 |
| 修稿时间： | 2005-12-282006-03-21 |
Design of a Low Power CMOS Low Noise Amplifier |
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| XIAO Jun,LI Yong-ming,WANG Zhi-hua.Design of a Low Power CMOS Low Noise Amplifier[J].Microelectronics,2006,36(5):670-673,678. |
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| Authors: | XIAO Jun LI Yong-ming WANG Zhi-hua |
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| Affiliation: | Institute of Microelectronics , rsinghua University, Beijing , 100084, P. R. China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | CMOS RF IC LNA |
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