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一种高精密CMOS带隙基准源
引用本文:王彦,韩益锋,李联,郑增钰.一种高精密CMOS带隙基准源[J].微电子学,2003,33(3):255-258,261.
作者姓名:王彦  韩益锋  李联  郑增钰
作者单位:复旦大学,专用集成电路与系统国家重点实验室,上海,200433
摘    要:设计了一个与n阱工艺兼容的高精密CMOS带隙基准电压源电路。该电路实现了一阶PTAT温度补偿,并具有好的电源抑制比。SPICE模拟和测试结果表明,其电源抑制比可达到60dB,在20—70℃范围内精度可达到60ppm/℃。

关 键 词:带隙基准源  电源抑制比  温度系数  CMOS  温度补偿  集成电路  基准电压源  运放电路  启动电路  版图设计
文章编号:1004-3365(2003)03-0255-04

A High Precision CMOS Bandgap Voltage Reference Circuit
Abstract:
Keywords:Bandgap voltage reference  PSRR  Temperature coefficient  
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