|
|||||
|
|
| 低剂量率下MOS器件的辐照效应 | |
| 引用本文： | 刘传洋,张廷庆,刘家璐,王剑屏,黄智,徐娜军,何宝平,彭宏论,姚育娟,王宝成.低剂量率下MOS器件的辐照效应[J].微电子学,2002,32(1):29-33. |
| 作者姓名： | 刘传洋 张廷庆 刘家璐 王剑屏 黄智 徐娜军 何宝平 彭宏论 姚育娟 王宝成 |
| 作者单位： | 1. 西安电子科技大学,微电子所,陕西,西安,710071 2. 西北核技术研究所,陕西,西安,710024 3. 昆仑机械厂,陕西,西安,710065 |
| 摘 要： | 对MOS器件在低剂量率γ射线辐射条件下的偏置效应进行了研究。对不同偏置及退火条件下MOS器件辐照后的阈值电压漂移进行了对比。结果表明，偏置在MOS器件栅氧化层内产生电场，增强了辐照产生电子-空穴对的分离，同时，影响了正电荷（包括空穴和氢离子）的运动状态；此外，偏置对退火同样有促进作用。 |
| 关 键 词： | MOS器件 辐照效应 阈值电压漂移 低剂量率 |
| 文章编号： | 1004-3365(2002)01-0029-05 |
| 修稿时间： | 2001年5月28日 |
Radiation Effects of MOS Devices at Low Dose Rate |
|
| LIU Chuan-yang ,ZHANG Ting-qing ,LIU Jia-lu ,WANG Jian-ping ,HUANG Zhi ,XU Na-jun ,HE Bao-ping ,PENG Hong-lun ,YAO Yu-juan ,WANG Bao-cheng.Radiation Effects of MOS Devices at Low Dose Rate[J].Microelectronics,2002,32(1):29-33. | |
| Authors: | LIU Chuan-yang ZHANG Ting-qing LIU Jia-lu WANG Jian-ping HUANG Zhi XU Na-jun HE Bao-ping PENG Hong-lun YAO Yu-juan WANG Bao-cheng |
| Affiliation: | LIU Chuan-yang 1,ZHANG Ting-qing 1,LIU Jia-lu 1,WANG Jian-ping 1,HUANG Zhi 1,XU Na-jun 2,HE Bao-ping 2,PENG Hong-lun 2,YAO Yu-juan 2,WANG Bao-cheng 3 |
| Abstract: | |
| Keywords: | MOS device Radiation effect Threshold voltage shift Low dose rate Interface state |
| 本文献已被 CNKI 维普 万方数据 等数据库收录！ | |
