| 一种3.3 V 2-GHz CMOS低噪声放大器 |
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| 引用本文： | 杨柯,赵晖,徐栋麟,任俊彦.一种3.3 V 2-GHz CMOS低噪声放大器[J].微电子学,2004,34(3):322-325. |
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| 作者姓名： | 杨柯 赵晖 徐栋麟 任俊彦 |
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| 作者单位： | 复旦大学,ASIC与系统国家重点实验室,上海,200433 |
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| 摘 要： | 介绍了一个针对无线通讯应用的2-GHz低噪声放大器(LNA)的设计。该电路采用标准的0.6μm CMOS工艺，电源电压为3．3V，设计中使用了多个片上电感。对低噪声放大器的噪声进行了分析，模拟结果显示，该电路能提供18dB的正向增益(S21)及良好的反向隔离性能(S12为-44dB)，功耗为33．94mW，噪声系数为2．3dB，IIP3为-4．9dBm。
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| 关 键 词： | 低噪声放大器 片上电感 噪声系数 |
| 文章编号： | 1004-3365(2004)03-0322-04 |
A 3.3-V 2-GHz CMOS Low Noise Amplifier |
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| YANG Ke,ZHAO and Systems,Fudan University,Shanghai ,P. R. China.A 3.3-V 2-GHz CMOS Low Noise Amplifier[J].Microelectronics,2004,34(3):322-325. |
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| Authors: | YANG Ke ZHAO and Systems Fudan University Shanghai P R China |
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| Affiliation: | YANG Ke,ZHAO and Systems,Fudan University,Shanghai 200433,P. R. China) |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | Low noise amplifier On-chip inductor Noise figure |
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