| 一种低功耗CMOS带隙基准电压源的实现 |
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| 引用本文： | 冯勇建,胡洪平.一种低功耗CMOS带隙基准电压源的实现[J].微电子学,2007,37(2):231-233,237. |
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| 作者姓名： | 冯勇建 胡洪平 |
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| 作者单位： | 厦门大学,机电系,福建,厦门,361005 |
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| 摘 要： | 运用带隙基准的原理,提出了一种带启动电路的低功耗带隙基准电压源电路。HSPICE仿真结果表明,在25℃3、.3 V下,电路功耗为16.88μW;另外,在-30~125℃范围内,1.9~5.5V下,输出基准电压VREF=1.225±0.0015 V,温度系数为γTC=14.75×10-6/℃,电源电压抑制比(PSRR)为86 dB。该电路采用台积电(TSMC)0.35μm 3.3 V/5 V CMOS工艺制造。测试结果显示,电路功耗仅为16.98μW。
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| 关 键 词： | 带隙基准电压源 启动电路 |
| 文章编号： | 1004-3365（2007）02-0231-03 |
| 修稿时间： | 2006-06-072006-09-28 |
Implementation of a Low Power CMOS Bandgap Voltage Reference Source |
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| FENG Yong-jian,HU Hong-ping.Implementation of a Low Power CMOS Bandgap Voltage Reference Source[J].Microelectronics,2007,37(2):231-233,237. |
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| Authors: | FENG Yong-jian HU Hong-ping |
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| Affiliation: | Dept. of Mechanical and Electrical Engineering, Xiamen University, Xiamen, Fujian 361005, P. R. China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | CMOS |
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