首页 | 官方网站   微博 | 高级检索  
     

神经元晶体管的研究进展
引用本文:程玥,许军.神经元晶体管的研究进展[J].微电子学,2004,34(3):231-234,240.
作者姓名:程玥  许军
作者单位:清华大学,微电子学研究所,北京,100084
摘    要:神经元晶体管是20世纪90年代初发展起来的一种新型功能器件,具有在栅上对所有输入信号进行加权求和的功能,有广泛的电路应用范围。文章介绍了神经元晶体管的产生背景、基本结构和工作原理;并对其发展现状和未来趋势进行了深入的讨论。

关 键 词:神经元晶体管  功能器件  加权求和
文章编号:1004-3365(2004)03-0231-04

The Latest Development of Neuron MOS Transistors
CHENG Yue,XU Jun.The Latest Development of Neuron MOS Transistors[J].Microelectronics,2004,34(3):231-234,240.
Authors:CHENG Yue  XU Jun
Abstract:As a novel functional device invented by Tadashi Shibata and Tadahiro Ohmi in 1991, neuron MOS transistor has the advantage of calculating weighted sum of all input signals at the gate level, so it can find wide applications. Its background, structure and operation mechanism are elaborated in the paper. Also, its up-to-date applications and developing trends in the future are described.
Keywords:Neuron MOS transistor  Functional device  Weighted sum
本文献已被 CNKI 维普 万方数据 等数据库收录!
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司    京ICP备09084417号-23

京公网安备 11010802026262号