| 硅基Si/Si0.65Ge0.35多量子阱APD响应特性的研究 |
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| 引用本文： | 赵永红,孙芳魁,丁卫强,刘燕玲.硅基Si/Si0.65Ge0.35多量子阱APD响应特性的研究[J].黑龙江大学自然科学学报,2019,36(3). |
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| 作者姓名： | 赵永红 孙芳魁 丁卫强 刘燕玲 |
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| 作者单位： | 哈尔滨工业大学理学院,哈尔滨,150001;哈尔滨工业大学理学院,哈尔滨,150001;哈尔滨工业大学理学院,哈尔滨,150001;哈尔滨工业大学理学院,哈尔滨,150001 |
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| 摘 要： | 以硅基材料为基底,外延生长20周期Si/Si_(0.65)Ge_(0.35)多量子阱结构的雪崩光电二极管(APD)探测器,分析了硅基量子阱结构的APD探测器能带对光子探测波长和响应灵敏度的影响。利用Silvaco TCAD进行工艺建模和光电性能仿真模拟。仿真结果表明,量子阱结构APD探测器响应峰值波长为0.95μm,探测响应截止波长为1.4μm,探测响应度提高了38%,实现了硅基APD探测器对微弱高频近红外光子的响应。
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| 关 键 词： | 硅基APD Si/Si0.65Ge0.35 量子阱 响应特性 红外吸收 |
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