| 锂掺杂氧化锌薄膜晶体管的研究 |
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| 引用本文： | 郭建,金礼,梁波,王江.锂掺杂氧化锌薄膜晶体管的研究[J].湘潭大学自然科学学报,2013,35(2):17-19. |
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| 作者姓名： | 郭建 金礼 梁波 王江 |
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| 作者单位： | 湘潭大学材料与光电物理学院,湖南湘潭,411105 |
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| 摘 要： | 采用溶胶凝胶法(sol-gel)在P型硅基底制备了锂掺杂氧化锌薄膜.以锂掺杂氧化锌薄膜为沟道层,制备了底栅结构的薄膜晶体管.XRD实验结果表明,500℃退火得到的锂掺杂氧化锌薄膜为纤锌矿结构,具有c轴择优取向.SEM实验结果说明,薄膜晶粒大小约为25nm,尺度分布均匀.电学测试结果显示器件是N沟道增强型.
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| 关 键 词： | 薄膜晶体管 溶胶凝胶 锂掺杂 氧化锌 |
Preparation and Characterization of Li-Doped ZnO Thin Film Transistors |
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| GUO Jian
,
JIN Li
,
LIANG Bo
,
WANG Jiang.Preparation and Characterization of Li-Doped ZnO Thin Film Transistors[J].Natural Science Journal of Xiangtan University,2013,35(2):17-19. |
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| Authors: | GUO Jian JIN Li LIANG Bo WANG Jiang |
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| Affiliation: | (Faculty of Materials Optoelectronics and Physics,Xiangtan University,Xiangtan 411105 China) |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | thin film transistor sol-gel Li-doped ZnO |
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