| SnS电子结构和光学性质的第一性原理研究 |
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| 引用本文： | 刘咏梅,赵灵智,姜如青,覃坤南.SnS电子结构和光学性质的第一性原理研究[J].华南师范大学学报(自然科学版),2014,46(2):42-0. |
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| 作者姓名： | 刘咏梅 赵灵智 姜如青 覃坤南 |
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| 作者单位： | 1.1. |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金项目(11204090);中国博士后科学基金特别资助项目(2012T50733);广东省自然科学基金项目(S2011010001758);广东省科技计划项目(2011B010400022,2012B010400005);广州市科技计划项目(11C52090779);广州市珠江科技新星专项(2012J2200031);广州市天河区科技计划项目(116ZH069);广州市越秀区科技计划项目(2012-TP-002) |
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| 摘 要： | 采用基于密度泛函理论的第一性原理平面波超软赝势方法, 建立了SnS超晶胞模型并进行了几何结构优化, 对其能带结构、态密度、电荷密度及光学性质进行了模拟计算. 结果显示, SnS是一种直接带隙半导体,计算所得的带隙值0.503 eV低于实验值的1.3 eV.态密度计算表明,SnS是具有一定共价性的离子键晶体.当光子能量在0 ~ 3.10 eV和大于7.47 eV范围内时,晶体表现为介电性,在3.10 ~ 7.47 eV范围内晶体表现为金属性.SnS具有数量级105 cm-1的吸收系数,能强烈地吸收光能.
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| 关 键 词： | 光学性质 |
| 收稿时间： | 2013-07-16 |
FIRST-PRINCIPLES INVESTIGATIONS OF ELECTRONIC AND OPTICAL PROPERTIES OF SnS |
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| Liu Yongmei;Zhao Lingzhi;Jiang Ruqing;Qin Kunnan.FIRST-PRINCIPLES INVESTIGATIONS OF ELECTRONIC AND OPTICAL PROPERTIES OF SnS[J].Journal of South China Normal University(Natural Science Edition),2014,46(2):42-0. |
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| Authors: | Liu Yongmei;Zhao Lingzhi;Jiang Ruqing;Qin Kunnan |
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| Affiliation: | Liu Yongmei;Zhao Lingzhi;Jiang Ruqing;Qin Kunnan;Laboratory of Nanophotonic Functional Materials and Devices,Institute of Opto-Electronic Materials and Technology,South China Normal University; |
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