| 阳极电解制备n型多孔硅及光反射特性的影响研究 |
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| 引用本文： | 孙羽涵,赵景勇,钟宜霏,何梦娇,孙艳,闫康平.阳极电解制备n型多孔硅及光反射特性的影响研究[J].成都大学学报(自然科学版),2015(4):399-403. |
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| 作者姓名： | 孙羽涵 赵景勇 钟宜霏 何梦娇 孙艳 闫康平 |
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| 作者单位： | 1. 四川大学化学工程学院,四川成都,610065;2. 成都大学机械工程学院,四川成都,610106 |
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| 摘 要： | 采用双槽电化学阳极蚀刻法制备了n型多孔硅,并用带积分球的光度分光计测试了多孔硅的光反射率.研究了蚀刻电流密度、蚀刻时间和HF浓度等对多孔硅孔隙率和反射率的影响规律.结果表明:随着电流密度和蚀刻时间的增加,多孔硅表观孔隙率增加;多孔层的存在能显著降低反射率,且较小的电流密度和蚀刻时间,更有利于反射率降低;电流密度10 m A·cm-2制备的多孔硅平均反射率降低到9%,蚀刻时间10 min下制备的多孔硅平均反射率降至5%;HF浓度对反射率的影响不大.
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| 关 键 词： | 阳极氧化 n型多孔硅 反射率 |
Preparation of N-type Porous Silicon and Its Light Reflectivity Characteristics by Anodic Electrolysis |
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