| 基于2ED020I12-FA隔离芯片的I GB T驱动电路研究与设计 |
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| 引用本文： | 李祥来,颜渐德,谢卫才.基于2ED020I12-FA隔离芯片的I GB T驱动电路研究与设计[J].湖南工程学院学报(自然科学版),2020,30(1):20-23. |
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| 作者姓名： | 李祥来 颜渐德 谢卫才 |
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| 作者单位： | 湖南工程学院 电气信息学院,湘潭 411104,湖南工程学院 电气信息学院,湘潭 411104,湖南工程学院 电气信息学院,湘潭 411104 |
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| 基金项目： | 湖南省教育厅科研资助项目 |
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| 摘 要： | 绝缘栅双极晶体管(IGBT)驱动电路设计的优劣直接关系到电力电子设备运行的性能.高性能的驱动电路能够很好的驱动功率器件,使其准确地工作于导通或截止,保证功率器件高效、稳定运行.文中分析了IGBT驱动电路的设计要求,结合英飞凌磁耦隔离芯片2ED020I12-FA的工作特点,设计了基于2ED020I12-FA的IGBT驱动电路.实验结果表明,该驱动电路具有结构简单、稳定可靠等优良特性.
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| 关 键 词： | 驱动电路 IGBT 磁耦隔离 |
Research and Design of IGBT Drive Circuit Based on 2ED020I12-FA |
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| LI Xiang-lai,YAN Jian-de,XIE Wei-cai.Research and Design of IGBT Drive Circuit Based on 2ED020I12-FA[J].Journal of Hunan Institute of Engineering(Natural Science Edition),2020,30(1):20-23. |
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| Authors: | LI Xiang-lai YAN Jian-de XIE Wei-cai |
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