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| 天域半导体:聚焦核心技术攻关推动碳化硅半导体产业发展 | |
| 引用本文： | 刘启强,栗子涵.天域半导体:聚焦核心技术攻关推动碳化硅半导体产业发展[J].广东科技,2022,31(1):24-26. |
| 作者姓名： | 刘启强 栗子涵 |
| 摘 要： | 第三代半导体碳化硅(SiC)作为典型的宽禁带半导体材料,因其优越的物理特性,非常适合在大功率、高温和高频环境下应用,也是目前产业化程度最高的三代半材料,其产品应用场景已覆盖电源/功率因数校正(PFC)、光伏、新能源汽车/充电桩、风能、轨道交通、智能电网等诸多领域.与传统的硅基器件相比,碳化硅制造出的电力电子器件体积更小、功率更大、更高效,系统级的成本也更低. |
| 本文献已被 万方数据 等数据库收录！ | |
