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电阻阵列红外假目标变换弛豫时间研究
引用本文:樊帆,田昌会,杨百愚,李均盛,王云飞,穆鑫,田晓霞.电阻阵列红外假目标变换弛豫时间研究[J].空军工程大学学报,2015(6):51-54.
作者姓名:樊帆  田昌会  杨百愚  李均盛  王云飞  穆鑫  田晓霞
作者单位:空军工程大学理学院,西安,710051
基金项目:国家自然科学基金(21471159)
摘    要:为了获得电阻阵列红外假目标变换的弛豫时间,为提高图样变换速度提出解决思路,通过对不同电阻(丝)的升、降温特性测试和分析指出:常见的电阻中金属膜电阻的升、降温时间最短,时间在30s左右;2种康铜电阻丝的升、降温时间变化长于金属膜电阻,其中升温增长约22.4%,降温增长约43.9%。被釉电阻与陶瓷绕线电阻升、降温时间较长,均超过了100s;同一电阻,在不同加热电压下的升、降温时间基本一致;同一电阻其降温时间长于升温时间。实验结果表明:可通过选用质量小、比热容小的电阻及介质材料来降低电阻的升、降温时间,提高电阻元件阵列红外假目标显示屏图样变换速度。

关 键 词:红外假目标  电阻阵列  弛豫时间

Research on Relaxation Time of a Resistor Array Infrared Decoy Transformation
FAN Fan,TIAN Changhui,YANG Baiyu,LI Junsheng,WANG Yunfei,MU Xin,TIAN Xiaoxia.Research on Relaxation Time of a Resistor Array Infrared Decoy Transformation[J].Journal of Air Force Engineering University(Natural Science Edition),2015(6):51-54.
Authors:FAN Fan  TIAN Changhui  YANG Baiyu  LI Junsheng  WANG Yunfei  MU Xin  TIAN Xiaoxia
Abstract:
Keywords:
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