| SiOx(X≤2)基电致发光体系研究进展 |
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| 引用本文： | 张文彬,张开坚,李新军,何明兴.SiOx(X≤2)基电致发光体系研究进展[J].科技导报(北京),2006,24(2):13-18. |
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| 作者姓名： | 张文彬 张开坚 李新军 何明兴 |
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| 作者单位： | [1]攀枝花钢铁研究院,四川攀枝花617000 [2]重庆大学经济与工商管理学院,重庆400044 [3]中国科学院广州能源研究所,广州510640 |
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| 摘 要： | 近年来,SiOx(X≤2)基电致发光材料发展迅速。着重讨论了5种具有实用潜力Si基LED包括离子掺杂、Si-nc嵌SiO2、多孔硅、a-Si(C):H以及MOS结构,并对其电致发光机理以及存在的问题如量子效率低、稳定性差进行了分析,认为电致发光原子SiOx(X≤2)中发光中心和界面缺陷处载流子的辐射复合。在激子碰撞和电子空穴复合发光体系中,提高载流子的平衡注入能够显著提高量子效率。在对比SiOx(X≤2)基LED研究的基础上,对下一步发展提出了建议。
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| 关 键 词： | 氧化硅 电致发光 掺杂 量子效率 载流子 |
| 文章编号： | 1000-7857（2006）02-0013-06 |
| 收稿时间： | 2005-10-24 |
| 修稿时间： | 2005-10-24 |
Development on SiOx(X≤2)-Based Electroluminescence System |
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| ZHANG Wen-bin,ZHANG Kai-jian,LI Xin-jun,HE Ming-xing.Development on SiOx(X≤2)-Based Electroluminescence System[J].Science & Technology Review,2006,24(2):13-18. |
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| Authors: | ZHANG Wen-bin ZHANG Kai-jian LI Xin-jun HE Ming-xing |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | oxide silicon electroluminescence dope quantum efficiency carrier |
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