| 拉压不同应力对磁记忆信号的影响及机理 |
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| 引用本文： | 冷建成,田洪旭,郭亚光,徐明秀.拉压不同应力对磁记忆信号的影响及机理[J].北京科技大学学报,2018(5):565-570. |
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| 作者姓名： | 冷建成 田洪旭 郭亚光 徐明秀 |
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| 作者单位： | 东北石油大学机械科学与工程学院,大庆,163318
哈尔滨工业大学航天学院,哈尔滨,150001
北京科技大学数理学院,北京,100083 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目(11472076;51607035)，黑龙江省博士后科研启动基金资助项目(LBH-Q16035) |
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| 摘 要： | 通过对Q235钢退磁试件的拉伸、压缩试验,利用磁记忆在线监测系统实时跟踪记录了不同拉压应力作用下试件表面的磁信号变化特征.结果表明:拉伸载荷对合成磁场的影响是先减小后增加的,在接近材料屈服强度的0.3倍左右后趋于稳定不变;而压应力引起的合成磁场初期快速下降,之后处于上下波动变化.通过引入拉压应力所产生的不同应力退磁项,对J-A磁机械效应模型进行了改进,模拟结果与试验数据具有较好的的一致性,可用于拉压不同应力致磁机理的理论解释.
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| 关 键 词： | 磁记忆效应 拉压应力 应力退磁 在线监测 |
Effect of tensile and compressive stresses on magnetic memory signal and its mechanism |
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| LENG Jian-cheng,TIAN Hong-xu,GUO Ya-guang,XU Ming-xiu.Effect of tensile and compressive stresses on magnetic memory signal and its mechanism[J].Journal of University of Science and Technology Beijing,2018(5):565-570. |
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| Authors: | LENG Jian-cheng TIAN Hong-xu GUO Ya-guang XU Ming-xiu |
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