| 复合离子(W0.5Mg0.5)4+掺杂BNBT陶瓷的微结构及低场/高场压电性能 |
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| 引用本文： | 霍子伟,杨玲,许积文,窦闰镨,周昌荣,郑远蕾,张秀云,王华.复合离子(W0.5Mg0.5)4+掺杂BNBT陶瓷的微结构及低场/高场压电性能[J].硅酸盐学报,2019,47(12):1704-1710. |
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| 作者姓名： | 霍子伟 杨玲 许积文 窦闰镨 周昌荣 郑远蕾 张秀云 王华 |
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| 作者单位： | 桂林电子科技大学材料科学与工程学院,广西桂林,541004;桂林电子科技大学材料科学与工程学院,广西桂林 541004;桂林电子科技大学,广西信息材料重点实验室,广西桂林 541004 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金;国家自然科学基金;广西自然科学基金;广西自然科学基金 |
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| 摘 要： | 采用固相烧结法制备了(W_(0.5)Mg_(0.5))~(4+)复合离子掺杂的(Bi_(0.5)Na_(0.5))_(0.94)Ba_(0.06)Ti_(1-x)(W_(0.5)Mg_(0.5))_xO_3(BNBT-x WM)无铅陶瓷,研究了(W_(0.5)Mg_(0.5))~(4+)复合离子掺杂量对BNBT陶瓷的表面形貌、微观结构,以及铁电、应变、压电、介电等电学性能的影响。结果表明:(W_(0.5)Mg_(0.5))~(4+)复合离子进入了BNBT陶瓷的B位并形成了单一的钙钛矿结构,且陶瓷样品晶界清晰,结构致密。(W_(0.5)Mg_(0.5))~(4+)掺杂增大了剩余极化强度和饱和极化强度。(W_(0.5)Mg_(0.5))~(4+)复合离子的掺杂使电致应变曲线由蝴蝶形变为嫩芽形,在x=0.03时获得0.429%(质量分数)的高电致应变响应,d_(33)*的最大值为833.1 pm/V,其外加高场仅有60 k V/cm。在x=0.02时其低场小信号的压电性能d_(33)有235 p C/N。BNBT-x WM陶瓷的介电常数随着掺杂含量的增多逐渐降低且平坦化,同时向弛豫铁电体转变。
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| 关 键 词： | 钛酸铋钠 钛酸钡 钨镁复合离子 压电 应变 介电 |
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