| Mg_2Si薄膜的光敏电阻特性研究 |
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| 引用本文： | 袁正兵,肖清泉,,廖杨芳,房迪,王善兰,吴宏仙,谢泉,周瑞雪.Mg_2Si薄膜的光敏电阻特性研究[J].低温物理学报,2017,39(5):33-38. |
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| 作者姓名： | 袁正兵 肖清泉 廖杨芳 房迪 王善兰 吴宏仙 谢泉 周瑞雪 |
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| 作者单位： | 1 贵州大学大数据与信息工程学院新型光电子材料与技术研究所，贵阳 550025；
2 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所器件部，苏州 215123；
3 安顺学院航空电子电气与信息网络贵州省高校工程技术研究中心，安顺 561000；
4 贵州师范大学物理与电子科学学院，贵阳 550001 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金(61264004)、贵州省国际科技合作项目(黔科合外G字[2013]7003)、贵州省教育厅“125”重大科技专项(黔教合重大专项字[2012]003)、贵阳市科技计划(筑科合同[2012101]2-16)、贵州省自然科学基金(黔科合J字[2014]2052，[2013]2209)、安顺学院航空电子气与信息网络贵州省高校工程技术研究中心开放基金(HKDZ201403)、贵州省科技厅贵州师范大学联合基金项目(黔科合J字LKS[2013]12号)资助的课题。 |
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| 摘 要： | 采用磁控溅射技术、退火工艺和丝网印刷技术,在N-Si(111)(ρ1000Ω·cm)衬底上分别溅射厚度为360nm、400nm、440nm、480nm、520nm、560nm的Mg膜,制备一系列Mg_2Si薄膜,然后在其上印刷叉指Ag电极、经烧结制备光敏电阻.通过X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、光谱响应测试系统、半导体器件分析仪和光照响应测试系统对样品的晶体结构、表面形貌、光谱响应、I-V特性以及亮暗电阻进行表征和分析.结果表明:成功制备出单一相Mg_2Si薄膜,且在晶面(220)处出现最强衍射峰;随着薄膜厚度增加,样品衍射峰强度先增加后减小,薄膜表面连续性和致密性良好;在波长为900nm~1200nm范围内光敏电阻表现出良好的光谱响应特性;光电流强度先增加后减小;Mg膜厚度为480nm时光电流强度最大.I-V特性始终呈一条直线,表明其间具有良好的欧姆接触;在光强为1mW/cm~2、波长为1100nm的光照下,亮电阻和暗电阻均随着Mg薄膜厚度增加先减小后增加,Mg薄膜厚度为480nm时,相应的光敏电阻阻值最小且此时的暗电阻、亮电阻比值为1.43×10~3,具有较好的灵敏度.
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| 关 键 词： | 磁控溅射 Mg2Si 薄膜 膜厚 光敏电阻 |
Study On Photosensitive Resistance Characteristics of Mg2Si Thin Films |
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| YUAN Zhengbing,XIAO Qingquan,LIAO Yangfang,FANG Di,WANG Shanlan,WU Hongxian,XIE Quan,ZHOU Ruixue.Study On Photosensitive Resistance Characteristics of Mg2Si Thin Films[J].Chinese Journal of Low Temperature Physics,2017,39(5):33-38. |
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| Authors: | YUAN Zhengbing XIAO Qingquan LIAO Yangfang FANG Di WANG Shanlan WU Hongxian XIE Quan ZHOU Ruixue |
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| Affiliation: | 1 Institute of Advanced Optoelectronic Materials and Technology of College of Big Data and Information Engineering of Guizhou University, Guiyang 550025;
2 Key Laboratory of Nanodevices and Applications, Suzhou Institute of Nano-Tech and Nano-Bionics, Chinese Academy of Sciences, Suzhou 215123;
3 Engineering Center for Avionics Electrical and Information Network of Guizhou Provincial Colleges and Universities, Anshun 561000; 4 School of Physics and Electronic Science of Guizhou Normal University, Guiyang 550001 |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | magnetron sputtering Mg2Si thin film film thickness photosensitive resistor |
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