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| 具有MIS结构的n-AlGaAs/InGaAs/n-GaAs双调制掺杂赝HEMT | |
| 引用本文： | 相奇,罗晋生,曾庆明,周均铭,黄绮.具有MIS结构的n-AlGaAs/InGaAs/n-GaAs双调制掺杂赝HEMT[J].半导体学报,1992,13(2):109-115. |
| 作者姓名： | 相奇 罗晋生 曾庆明 周均铭 黄绮 |
| 摘 要： | 本文设计和研制了具有MIS结构的n-AlGaAs/InGaAs/n-GaAs 双调制掺杂赝HEMT.它结合了MISFET和双调制掺杂赝HEMT的特点.1μm栅长器件的最大漏电流密度达400mA/mm,栅反向击穿电压高达15V.器件还显示了良好的微波射频特性. |
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