| GaSb晶片表面残留杂质分析 |
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| 引用本文： | 程雨,刘京明,苏杰,刘彤,杨凤云,董志远,赵有文.GaSb晶片表面残留杂质分析[J].半导体光电,2016,37(1):55-58. |
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| 作者姓名： | 程雨 刘京明 苏杰 刘彤 杨凤云 董志远 赵有文 |
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| 作者单位： | 中国科学院半导体研究所材料科学重点实验室,北京,100083;中国科学院半导体研究所材料科学重点实验室,北京,100083;中国科学院半导体研究所材料科学重点实验室,北京,100083;中国科学院半导体研究所材料科学重点实验室,北京,100083;中国科学院半导体研究所材料科学重点实验室,北京,100083;中国科学院半导体研究所材料科学重点实验室,北京,100083;中国科学院半导体研究所材料科学重点实验室,北京,100083 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金项目(61744104). |
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| 摘 要： | 对不同条件下制备的锑化镓抛光晶片表面进行了TOF-SIMS测试比较.结果表明使用体积比为5∶1的HCl与CH3COOH的混合溶液清洗腐蚀(100) GaSb晶片表面,可以有效地去除金属离子、含S离子和大部分有机物,而使用(NH4)2S/(NH4)2SO4混合溶液方法钝化表面,可以使表面大部分Ga和Sb元素硫化,降低了表面态密度.分析比较了清洗和钝化工艺对晶片表面化学成分的影响.
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| 关 键 词： | 锑化镓 TOF-SIMS 表面氧化 钝化 |
Residual Impurities Analysis on the Surface of Gallium Atimonide Wafers |
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| CHENG Yu,LIU Jingming,SU Jie,LIU Tong,YANG Fengyun,DONG Zhiyuan,ZHAO Youwen.Residual Impurities Analysis on the Surface of Gallium Atimonide Wafers[J].Semiconductor Optoelectronics,2016,37(1):55-58. |
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| Authors: | CHENG Yu LIU Jingming SU Jie LIU Tong YANG Fengyun DONG Zhiyuan ZHAO Youwen |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | GaSb TOF-SIMS surface oxidation passivation |
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