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低损耗高集成度氮化硅阵列波导光栅波分(解)复用器
引用本文:冯俊波,李智慧,梁宇鑫,杨忠华,赵恒,崔乃迪.低损耗高集成度氮化硅阵列波导光栅波分(解)复用器[J].半导体技术,2022(1).
作者姓名:冯俊波  李智慧  梁宇鑫  杨忠华  赵恒  崔乃迪
作者单位:联合微电子中心有限责任公司
基金项目:重庆市博士基金项目(cstc2020jscx-msxmX0006)。
摘    要:氮化硅平台阵列波导光栅(AWG)波分(解)复用器具有损耗低、集成度高、温度敏感性低等优势。基于联合微电子中心有限责任公司(CUMEC)的氮化硅集成光子工艺平台,从波导传输损耗、阵列波导与平板波导模式转换损耗、截断损耗、泄漏损耗等方面对氮化硅基AWG波光(解)复用器插入损耗进行了优化,并采用标准CMOS工艺完成低损耗C波段AWG密集波分(解)复用器制备。该氮化硅基AWG密集波分(解)复用器输出通道数为16,输出通道频率间隔200 GHz。测试结果表明,该AWG波分(解)复用器的平均插入损耗为2.34 dB,1 dB带宽为0.44 nm,3 dB带宽为0.76 nm,串扰约为-28 dB。芯片尺寸为850μm×1700μm,较平面光波导(PLC)基AWG大大减小。

关 键 词:光波导  低损耗  低压化学气相沉积(LPCVD)  氮化硅  阵列波导光栅(AWG)

Low-Loss Compact SiN Arrayed Waveguide Grating Based Wavelength Division(De)Multiplexer
Feng Junbo,Li Zhihui,Liang Yuxin,Yang Zhonghua,Zhao Heng,Cui Naidi.Low-Loss Compact SiN Arrayed Waveguide Grating Based Wavelength Division(De)Multiplexer[J].Semiconductor Technology,2022(1).
Authors:Feng Junbo  Li Zhihui  Liang Yuxin  Yang Zhonghua  Zhao Heng  Cui Naidi
Affiliation:(Chongqing United Microelectronics Center Co.,Ltd.,Chongqing 401332,China)
Abstract:
Keywords:optical waveguide  low loss  low-pressure chemical vapor deposition(LPCVD)  silicon nitride  arrayed waveguide grating(AWG)
本文献已被 维普 等数据库收录!
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