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| 缺陷问题驱动浸没光刻技术发展 | |
| 作者姓名： | Laura Peters |
| 作者单位： | Semiconductor International |
| 摘 要： | 涂层的应用导致晶圆上缺陷的增加或者使光刻表现发生变化虽然现在推测浸没光刻技术的量产时间还太早,但是许多公司正在努力确定生产线何时能从干法工艺跃为湿法工艺。根据最近在San Jose举办的 |
| 关 键 词： | 光刻技术 浸没 缺陷 问题驱动 300mm晶圆 干法工艺 SPIE TSMC 生产线 湿法工艺 |
| 本文献已被 CNKI 维普 等数据库收录！ | |
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