| 多量子阱结构GaN光致发光谱温度变化特性研究 |
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| 引用本文： | 王硕,邓礼松,贾佳,苑进社.多量子阱结构GaN光致发光谱温度变化特性研究[J].重庆师范大学学报(自然科学版),2019,36(1):85-88. |
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| 作者姓名： | 王硕 邓礼松 贾佳 苑进社 |
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| 作者单位： | 重庆师范大学物理与电子工程学院,重庆,401331;重庆师范大学物理与电子工程学院,重庆401331;光电功能材料重庆市重点实验室,重庆401331 |
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| 基金项目： | 重庆高校新型能源转换材料与器件创新团队项目 |
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| 摘 要： | 【目的】研究金属有机物气相外延制备的多量子阱结构 Ga N 材料的变温光致发光谱,探讨多量子阱结构 Ga N 的发光机制。【方法】对样品 进 行 变 温 光 致 发 光 谱 测 试,从 发 光 强 度 和 发 光 峰 位 两 个 角 度 研 究 样 品 的 发 光 机 制。【结 果】在10~300K温度范围内光致发光谱共有4个发光峰,温度为10K 时观察到的发光峰峰值波长分别位于355,369和532nm,100K 时出现峰值波长为361nm 的新发光峰。【结论】分析认为位于355,361,369和532nm 的多峰发光结构分别与激发光源、激子发光、带边发光、量子阱发光和黄带发光相关。361nm 附近带边发光光子能量与温度的变化规律与 Van-shni经验公式吻合,369nm 附近量子阱发光峰峰位随温度变化呈“S”型。
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| 关 键 词： | GaN多量子阱 变温光致发光谱 发光机制 |
Temperature Dependent Characteristics of Photoluminescence Spectrum of Multi-Quantum Well GaN Structure
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