| ZnO–B2O3掺杂BaAl2Si2O8陶瓷的结构及微波介电性能 |
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| 引用本文： | 黄龙,丁士华,严欣堪,宋天秀,张云,张晓云.ZnO–B2O3掺杂BaAl2Si2O8陶瓷的结构及微波介电性能[J].硅酸盐学报,2019,47(6):776-781. |
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| 作者姓名： | 黄龙 丁士华 严欣堪 宋天秀 张云 张晓云 |
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| 作者单位： | 西华大学材料科学与工程学院,成都,610039;西华大学材料科学与工程学院,成都,610039;西华大学材料科学与工程学院,成都,610039;西华大学材料科学与工程学院,成都,610039;西华大学材料科学与工程学院,成都,610039;西华大学材料科学与工程学院,成都,610039 |
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| 基金项目： | 教育部春晖计划;四川省特种材料;实验室开放基金;四川省教育厅项目;四川省粉末冶金工程技术中心资助项目;四川省粉末冶金工程技术中心资助项目;国家自然科学基金;创新基金;创新基金 |
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| 摘 要： | 采用固相反应法制备BaAl2Si2O8–x%ZnO–B2O3(x=0,1,2,3,4,质量分数)陶瓷。探究了不同含量的ZnO–B2O3(ZB)烧结助剂对BaAl2Si2O8(BAS)陶瓷的烧结温度、结构及微波介电性能的影响。结果表明:ZB烧结助剂可降低BAS陶瓷的烧结温度。并且能够促进BAS晶体结构由六方相转变为单斜相,当x=1时,六方相BAS全部转变为单斜相BAS,并且ZB烧结助剂添加量在4%以内,无第二相生成。添加1%的ZB烧结助剂可促进样品晶粒长大,密度、介电常数和品质因数增大,谐振频率温度系数的绝对值减小。在x=1,烧结温度为1 350℃时,能够获得品质因数较高的单斜相BAS,其介电性能为:εr=6.45,Q×f=40 608 GHz,τf=–22.46×10^–6 K^–1。
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| 关 键 词： | 钡长石 单斜相 晶体结构 介电性能 |
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