| 利用高频PlasmaCVD在蓝宝石衬底上生长立方GaN缓冲层及其光学性 |
| |
| 引用本文： | 修向前,野崎真次,岛袋淳一,池上隆兴,王大志,汤洪高.利用高频PlasmaCVD在蓝宝石衬底上生长立方GaN缓冲层及其光学性[J].半导体学报,2001,22(2):182-186. |
| |
| 作者姓名： | 修向前 野崎真次 岛袋淳一 池上隆兴 王大志 汤洪高 |
| |
| 作者单位： | [1]中国科学院大学材料科学与工程系,中国合肥230026 [2]日本电器通信大学电子情报学科,日本东京都调布市182－858 |
| |
| 摘 要： | 研究了采用高频 Plasma CVD技术在较低温度下 (30 0— 40 0℃ )生长以 Ga N为基的 - 族氮化物的可行性 ,在蓝宝石衬底上生长了 Ga N缓冲层 .热处理后的光致发光谱和 X光衍射表明 ,生长的 Ga N缓冲层为立方相 ,带边峰位于 3.15 e V.在作者实验的范围内 ,最优化的 TMGa流量为 0 .0 8sccm (TMAm=10 sccm时 ) ,XPS分析结果表明此时的 Ga/ N比为 1.0 3.这是第一次在高 / 比下得到立方 Ga N.相同条件下石英玻璃衬底上得到的立方 Ga N薄膜 ,黄光峰很弱 ,晶体质量较好
|
| 关 键 词： | 立方GaN 高频等离子体化学气相沉积 X射线光电子谱 |
| 文章编号： | 0253-4177(2001)02-0182-05 |
| 修稿时间： | 1999年12月11 |
Optical Properties and Growth of Cubic GaN Buffer Layers on Sapphire by Radio Frequency Plasma CVD |
| |
| XIU Xiang-qian.Optical Properties and Growth of Cubic GaN Buffer Layers on Sapphire by Radio Frequency Plasma CVD[J].Chinese Journal of Semiconductors,2001,22(2):182-186. |
| |
| Authors: | XIU Xiang-qian |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | cubic GaN radio frequency plasma CVD X ray photoelectron spectra |
| 本文献已被 CNKI 维普 等数据库收录！ |
| 点击此处可从《半导体学报》浏览原始摘要信息 |
|
点击此处可从《半导体学报》下载全文 |
