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镀铋膜修饰玻碳电极方波伏安法测定豆芽中痕量铬
引用本文:刘成伦,杨玉娥,周庆华,陈林,丁德健.镀铋膜修饰玻碳电极方波伏安法测定豆芽中痕量铬[J].食品研究与开发,2010,31(5).
作者姓名:刘成伦  杨玉娥  周庆华  陈林  丁德健
作者单位:1. 重庆大学化学化工学院,重庆,400030;西南资源开发及环境灾害控制工程教育部重点实验室,重庆,400030
2. 重庆大学化学化工学院,重庆,400030
3. 安徽省安庆市石化第一中学,安徽,安庆,246001
基金项目:重庆市科委自然科学基金资助项目,重庆大学"211工程"三期创新人才培养计划项目 
摘    要:采用铋膜电极方波伏安法测定豆芽中痕量铬.通过正交试验优化Cr(VI)的测定条件,在最优参数下,Cr(VI)的浓度在0.1 μg/L~200 μg/L范围内与峰电流呈良好的线性关系;Cr(Ⅵ)的检测限为0.001 μg/L.在最佳检测条件下,测定铬的含量为2.824 mg/kg.试验相对标准偏差<10%,回收率在90%~110%之间.结果令人满意,具有很高的实际应用价值.

关 键 词:Cr(Ⅵ)  铋膜电极  方波伏安法  豆芽  痕量铬

Square Wave Voltammetry Determination of Trace Chromium in Sprouts at the Bismuth Film Electrode
LIU Cheng-lun,YANG Yu-e,ZHOU Qing-hua,CHEN Lin,DING De-jian.Square Wave Voltammetry Determination of Trace Chromium in Sprouts at the Bismuth Film Electrode[J].Food Research and Developent,2010,31(5).
Authors:LIU Cheng-lun  YANG Yu-e  ZHOU Qing-hua  CHEN Lin  DING De-jian
Abstract:
Keywords:
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