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| 简并Hg_(1-x)Cd_xTe半导体的费密能级和Burstein-Moss效应 | |
| 引用本文： | 褚君浩.简并Hg_(1-x)Cd_xTe半导体的费密能级和Burstein-Moss效应[J].红外与毫米波学报,1984,3(4). |
| 作者姓名： | 褚君浩 |
| 作者单位： | 中国科学院上海技术物理研究所 |
| 摘 要： | 当半导体的费密能级进入导带,本征光吸收边就会向短波方向移动,这就是Burstein-Moss效应。对Hg_(1-x)Cd_xTe半导体尚未见到有关研究报道。我们采用三个不同组份、高电子浓度的Hg_(1-x)Cd_xTe薄样品:x=0.165,N_D~*=4×10~(16)cm~(-3),d=10μm;x=0.17,N_D~*=5.85×10~(15)cm~(-3),d=9μm;以及x=0.194,N_D~*=2.2×10~(16)cm~(-3),d=24μm。采用PE983红外分光光度计在5～33μm波长范围和77～300K |
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