先进双极微电路的快速退火

本文论述了器件在快速中子脉冲群的辐照以后,有关迅速退火的几种新工艺。已发现“劈出”(breakout)器件的退火响应和已有工艺模型的预计值相一致。并给出了从已有模型得到的分析表达式。几种“劈出”器件的研究结果表明:根据某些工艺研究制造出来的数学集成电路,中子辐照强度可超过1×10~(15)NVT(E>10K-eV)。此外还介绍了FAST和ALS与非门的中子辐照响应数据。