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| 半导体量子阱和量子线中杂质束缚能的度规法则与维里定理 | |
| 引用本文： | 刘建军,苏会,杨国琛.半导体量子阱和量子线中杂质束缚能的度规法则与维里定理[J].半导体学报,2002,23(9). |
| 作者姓名： | 刘建军 苏会 杨国琛 |
| 作者单位： | 1. 河北师范大学物理学院,石家庄,050016;河北工业大学物理所,天津,300130 2. 河北师范大学物理学院,石家庄,050016 3. 河北工业大学物理所,天津,300130 |
| 基金项目： | 河北省自然科学基金，河北省教育厅自然科学基金 |
| 摘 要： | 利用变分法计算了矩形量子线和量子阱中类氢杂质束缚能的度规法则和维里定理值.计算结果表明:的确存在一个参数(杂质有效玻尔半径)可用来完全确定束缚能的值,而不必考虑截面的形状和尺寸;体系的维里定理值并不等于常数,而是随杂质有效玻尔半径变化,在阱宽较小和较大时,维里定理值都趋于2. |
| 关 键 词： | 度规法则 维里定理 量子阱 量子线 杂质 |
Scaling of Hydrogenic Impurity Binding Energy and Virial Theorem in Semiconductor Quantum Wells and Wires |
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| Keywords: | |
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